집적회로 [180nm HV BCD G2]

1. 사업 개요

본 사업은 울산과학기술원(UST)에서 TSMC 0.18 µm HV BCD Gen2 공정을 이용한 집적회로(IC) 제작 서비스를 조달하기 위한 공고입니다.
주요 목적은 CMOS, Bipolar 및 고전압 DMOS 디바이스를 단일 칩에 통합하여 임플란트형 의료기기, 전력 관리 IC, 무선 전력 전송 칩, 자동차용 전력 반도체, IoT 센서 등의 연구·개발을 지원하는 것입니다.
제공되는 물품은 테이프‑아웃 → 웨이퍼 제조 → 어셈블리 전 과정을 포함한 1세트의 IC이며, QFN 패키지(3×3 mm ~ 12×12 mm, 8‑lead ~ 100‑lead)와 다양한 캡슐화·리드 옵션을 포함합니다.

2. 주요 자격요건

• TSMC 0.18 µm HV BCD Gen2 공정에 대한 실제 제작 경험 및 성공 실적 보유
• PDK(Process Design Kit) 라이선스를 보유하고, 디자인 지원 문서를 제공할 수 있는 능력
• QFN 패키지(3×3 mm ~ 12×12 mm, 8‑lead ~ 100‑lead)와 Glob‑Top, Remolded/Flattened 캡슐화, 플라스틱(기본), 세라믹, 유리 리드 옵션을 제공할 수 있는 제조 설비
• .dwg 형식의 빈 본딩 다이어그램 및 테이프‑아웃 스프레드시트를 통한 패키지 도면·문서 제공 가능
• **한국 정부 물품분류코드(HSK No. 18542.39.10003213100502)**에 부합하고, 한국 내 법인 등록된 사업자
• 40 ~ 60 V 고전압 DMOS 디바이스 제작이 가능한 기술 역량 및 품질 보증 제공 가능
• 계약 기간 내 테이프‑아웃 → 제조 → 어셈블리 전 과정을 수행할 수 있는 재무·인력·기술 여유

3. 핵심 기술/물품 요구사항

• 공정: TSMC 0.18 µm HV BCD Gen2 (CMOS + Bipolar + DMOS 통합)
• 전압 범위: DMOS 디바이스 40 ~ 60 V 지원
• 패키지: QFN, 크기 3×3 mm(8‑lead) ~ 12×12 mm(100‑lead)
• 캡슐화 옵션: Glob‑Top, Remolded/Flattened
• 리드(리드 커버) 옵션: 플라스틱(기본), 세라믹, 유리
• 본딩: 표준 25.4 µm 금선 사용
• 문서:
  • PDK 및 디자인 지원 문서 1세트
  • 패키징·본딩 다이어그램( .dwg )
  • 테이프‑아웃 스프레드시트 형태의 패키지 도면·문서

4. 주의사항

• 공정 버전: 반드시 Gen2 사양을 사용해야 하며, Gen1·Gen3 등 다른 버전은 비규격으로 간주됩니다.
• 수량: 본 공고는 1세트만 요구하므로, 추가 수량·옵션은 별도 협상 필요.
• 패키징 선택: 리드·리드 커버(플라스틱/세라믹/유리) 옵션을 입찰서에 명확히 기재해야 하며, 기본은 플라스틱 리드입니다.
• 본딩 다이어그램 형식: 반드시 .dwg 파일만 허용(워드·PDF 등 다른 형식은 불인정).
• HSK 코드 준수: 물품 분류 및 수출입 규정에 따라 HSK 번호와 정부 물품분류코드에 부합해야 함.
• 품질·보증: DMOS 전압 40‑60 V 범위 내 동작 보장을 포함한 품질 보증·보증 기간을 명시해야 함.
• 일정: 테이프‑아웃, 웨이퍼 제조, 어셈블리, 문서 전달 등 전체 일정에 대한 구체적인 납기 계획을 제시해야 함.
• 기타: 별도 “Remarks”는 없으나, 일반적인 공공조달 계약 조건(보증, 손해배상, 비밀 유지 등)은 적용될 수 있음.

위 내용은 첨부 문서 Commodity Description.pdf에 명시된 정보를 기반으로 정리한 요약이며, 실제 입찰서 작성 시 전체 공고문 및 부속 서류를 반드시 확인하시기 바랍니다.