1. 사업 개요
울산과학기술원(UNIST) 양자 실리콘 식각 장치는 연구용 고정밀 실리콘 식각 시스템을 도입하는 사업으로, 나노구조·MEMS·양자 디바이스 프로토타입 제작 등 첨단 반도체·양자 연구에 필요한 비선택성·비이소크·정밀 제어를 갖춘 장비를 확보하고자 합니다. 본 장비는 RF·ICP 플라즈마 기반 식각, 온도·압력·가스 흐름 정밀 제어, 레이저 기반 엔드포인트 검출 등을 통해 재현성·균일성·프로파일 정확도를 극대화하여 UNIST의 연구 역량을 강화합니다.
2. 주요 자격요건
- 제조·공급 실적: 동일·사양 수준의 실리콘 식각 장비(플라즈마 기반) 납품 실적이 있는 제조업체 또는 공인 유통사.
- 기술 사양 충족: RF 13.56 MHz ≥ 300 W, ICP 13.56 ~ 2 MHz ≥ 3 kW, ALE 가스 펄스 ≤ 10 ms 등 명시된 전력·주파수·가스 제어 사양을 만족.
- 인증·품질: ISO 9001, ISO 14001, IEC 60601‑1 등 국제·국내 품질·안전 인증을 보유하거나 획득 가능.
- 위험 가스 취급: 저증기압·고위험 가스 라인 가열 키트 제공 및 가스 안전 관리(가스 라인 가열, 누출 감시 포트 등) 능력.
- 보증·사후 서비스: 12 개월(최종 검수일 또는 선적일 중 빠른 날로부터) 보증 제공 및 현지 설치·시운전·유지보수 지원.
- 문서·소프트웨어 제공: 전체 시스템 매뉴얼, 소프트웨어(자동 운영 포함), 유지보수·소모성 키트, 인터페로메트릭 엔드포인트 검출 소프트웨어 포함.
- 통관·분류: HSK No. 18486.20.84102321118001, 정부 물품분류코드 등 필요한 관세·수입 분류 번호를 정확히 표기.
- 조달 규정 준수: 조달청 등록 업체, 제한·금지 인물·기업 여부 확인, 전자입찰·조달법 절차 이행 가능.
3. 핵심 기술/물품 요구사항
3‑1. 메인 바디(Process Module)
- 치수·무게: L ≤ 1 902 mm, W ≤ 1 000 mm, H ≤ 2 187 mm, 무게 ≤ 700 kg.
- 플라즈마:
- RF bias ≥ 300 W (13.56 MHz)
- RF low‑power bias kit 1‑2 W (자동 매칭)
- ICP etch source ≥ 3 000 W, 주파수 13.56 ~ 2 MHz (자동 매칭)
- ALE 가스 펄스 ≤ 10 ms, 매칭 유닛(전기 차폐 포함) 자동 매칭.
- 전극·온도 제어:
- Sub‑strate electrode ≥ 4/6/8 inch 웨이퍼 클램프, -150 °C ~ +400 °C (극저온·극고온 포함)
- Chuck 온도 제어 ≥ 10 kW 냉각 용량 (‑20 °C ~ +90 °C)
- He‑flow·압력 제어 기반 온도 컨트롤러.
- 가스 공급: ≥ 7 채널, 저증기압·고위험 가스 라인 가열 키트 포함.
- 시스템 컨트롤러: 자동 운영 가능한 PC/터치패널 기반 프로그래머블 컨트롤러.
3‑2. 보조 장비(Auxiliary Equipment)
- 펌핑 시스템:
- Process backing dry pump ≥ 1 800 L/min, Turbo‑Molecular Pump (TMP) ≥ 1 300 L/s, N₂ purge 라인 및 흐름 모니터 포함.
- Load‑lock dry pump ≥ 200 L/min (독립 펌프).
- 엔드포인트 검출: 레이저형 인터페로메트릭 시스템, 1 파장 이상, 레이저 스팟 ≤ 50 µm.
- 소프트웨어: 자동 운영·매뉴얼 조작 지원 소프트웨어.
- 기타: 유지보수 키트·소모성 키트·시스템 매뉴얼 포함.
3‑3. 프로세스 성능 규격
| 항목 | 비 Bosch 공정 | Bosch 공정 |
|------|----------------|------------|
| Etch rate | > 2 µm/min | > 10 µm/min |
| Selectivity (PR) | > 40 : 1 | > 100 : 1 |
| Sidewall roughness | < 10 nm | — |
| Profile | 90 ± 1° | — |
| Uniformity | < ±5 % | — |
| Reproducibility | < ±0.5 % | — |
| Bosch scallop size | — | < 350 nm |
- 압력·온도 제어: 저·고압 게이지, 30 ~ 60 °C 챔버 가열, 30 ~ 60 °C 압력 컨트롤러, 60 °C 히팅 밸브 등.
4. 주의사항
- 납품 기한 – L/C 발행일로부터 300일 이내에 인도, 도착지는 주요 국제공항에 한함(CIP 조건).
- 보증 기간 – 최종 검수일 또는 선적일 중 빠른 날부터 12개월 보증(조기 검수 시 90일 보증 적용).
- 결제 조건 – 90 % 선금(선적 시), 10 % 잔금(최종 검수·L/C 승인 시).
- 통관·분류 – HSK No. 18486.20.84102321118001, 정부 물품분류코드 등 정확한 관세·수입 분류 번호 표기 필요.
- 위험 가스·안전성 – 저증기압·고위험 가스 라인 가열 키트 제공, IEC 60601‑1 등 안전 인증 확보.
- 설치·시운전 – UNIST 현장 설치·시운전 지원 및 현지 기술 교육 제공(가능 여부 명시).
- 소프트웨어·문서 – 전체 시스템 매뉴얼, 소프트웨어 라이선스, 유지보수·소모성 키트 모두 포함해서 제공.
- 규격·인증 – 명시된 전력·주파수·펌프 속도·온도·압력 등 모든 사양을 충족해야 하며, 미달 시 계약 무효.
- 조달 규정 – 조달청 등록 업체 여부, 제한·금지 인물·기업 확인, 전자입찰·조달법 절차 준수 필수.
위 내용을 바탕으로 입찰 제안서 작성 시 사양 충족 여부, 납품 일정, 보증·사후 서비스, 인증·문서 제공 등을 중점적으로 검토하시기 바랍니다.
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