울산과학기술원 3-5족 화합물 양자 소자 식각 장치 [III-V compounds quantum etcher]

1. 사업 개요

울산과학기술원(UNIST)은 III‑V족(InP, GaN, GaAs) 화합물 기반 양자 소자(양자점·양자우물·양자 인터페이스)의 정밀 식각 공정을 지원하기 위해 플라즈마 기반 건식 식각 장비를 구매하고자 합니다. 본 장비는 차세대 통신, 고감도 센서 및 양자 컴퓨팅 등 고성능 화합물 반도체 제품 연구·양산 단계에 필수적인 인프라로, 150 mm 이하 웨이퍼에 대한 높은 식각 속도·선택성·균일성을 확보하도록 설계되었습니다.

2. 주요 자격요건

• III‑V 화합물 건식 식각 장비 제조·공급 실적이 있는 기업
• 국내·외 설치·시운전·현장 교육을 수행할 수 있는 자격을 갖춘 엔지니어를 보유하고 있는 기업
• ISO 9001·IEC 61010·CE 등 관련 인증 및 품질 관리 시스템을 갖춘 기업
• 한국 조달법령·INCOTERMS 2020(CIP) 등 공공조달 규정을 준수할 수 있는 기업
• 12개월 이상의 무상 보증 및 사후 유지보수 서비스를 제공할 수 있는 기업

3. 핵심 기술/물품 요구사항

(A) 기본 구성

• Process module: 알루미늄 챔버 본체(≥ 1 ea), 풋프린트 ≤ 979 mm × 388 mm, RF‑shield view‑port, End‑point detection port, 제어 PC·모니터, EMO 버튼, 압축공기·냉각수·가스 라인
• Load‑lock module: 100 mm, 150 mm, 200 mm 웨이퍼 호환, isolation valve, wafer sensor, wafer transfer arm
• Plasma generation: RF bias (≥ 300 W, 13.56 MHz) + auto‑matcher, RF‑ICP source (≥ 3 kW, 2 MHz)
• Substrate electrode kit: He‑clamp, fluid·전기 heater kit, quartz clamp(200 mm notch / 150 mm flat / 100 mm flat), carrier platen, heater ≤ 400 °C
• Gas supply: Mass‑flow controller(≤ 8 lines), 가스 라인 히팅 키트, 바이패스(위험 가스)

(B) 진공·펌프·제어

• Vacuum measurement: CM gauge, high‑vacuum gauge
• Turbo molecular pump: N₂ pumping speed ≥ 1,360 L/s, adaptive pressure controller, backing valve, chamber·pump heating ≤ 60 °C, fore‑line heating ≥ 80 °C
• Auxiliary pumps: backing dry pump (≥ 110 m³/h @ 60 Hz), roughing dry pump for load‑lock (≥ 14 m³/h)
• Chiller: ≥ 10 kW 냉각 용량, 온도 범위 –20 ~ 90 °C

(C) 소프트웨어·보조 시스템

• GUI 기반 제어 시스템, 레시피 관리, 플라즈마 strike‑assist 로그 기능 포함
• End‑point detection: 레이저 인터페로미터 980 nm

(D) 식각 성능 (150 mm 이하 웨이퍼)

| 재료 | Etch rate | Selectivity (hard‑mask) | Profile | Uniformity |
|------|-----------|------------------------|--------|------------|
| InP | > 300 nm/min (CH₄·H₂ 사용 시 > 50 nm/min) | > 10:1 (SiNx/SiO₂) | 90 ± 2° (CH₄·H₂ 사용 시 88 ± 2°) | < ±5 % (within wafer) / < ±3 % (wafer‑to‑wafer) |
| GaAs | > 300 nm/min | > 10:1 (SiNx) | 90 ± 2° | < ±5 % / < ±3 % |
| GaN | > 250 nm/min | > 5:1 (SiNx/SiO₂) | > 85° | < ±5 % / < ±3 % |

4. 주의사항

• 납품 기한: 신용장(LC) 발행일로부터 300일 이내 (CIP, INCOTERMS 2020)
• 보증 기간: 최종 Acceptance Certificate 발행 후 12개월 이상 무상 보증 필수
• 설치·시운전·현장 교육: 자격을 갖춘 엔지니어가 무료로 수행해야 함(공급업체 부담)
• 유틸리티 연결: 전력·가스·냉각수·압축공기 등 모든 유틸리티 연결을 공급업체가 포함해야 함
• 문서·매뉴얼: 시스템 매뉴얼 및 사용자 매뉴얼을 1세트 이상 제공
• 품질·규격 준수: 위 사양(풋프린트, 플라즈마 파라미터, 가스 라인, 온도·압력 범위 등)을 전부 만족해야 하며, 미달 시 입찰 무효 가능
• 국내 적용: 국내 설치·유지보수 가능 여부와 한국 조달법·표준(예: KS, IEC) 준수 여부를 반드시 확인

위 항목을 충족하는 기업이 입찰에 참여할 수 있으며, 상세 기술 제안서와 함께 위 사양 구현 방안을 명확히 제시해야 합니다.