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울산과학기술원 양자 실리콘 식각 장치 [Quantum Silicon Etcher]

R25BK01197504-000
울산과학기술원
조회수 0

1. 사업 개요

울산과학기술원(UNIST)은 실리콘( Si ) 식각 공정 연구·개발을 위한 양자 실리콘 식각 장치(Quantum Silicon Etcher) 를 도입하고자 합니다. 이 장비는 나노구조·MEMS·양자 디바이스 프로토타입 제작에 필요한 고정밀, 고선택성, 이방성(anisotropic) 식각 능력을 제공하며, RF·ICP 플라즈마와 온도·압력 제어, 레이저 기반 엔드포인트 검출 등 최신 반도체 공정 기술을 일체화합니다.

2. 주요 자격요건

  • 반도체·플라즈마 식각 장비 제조·공급 경험(최소 3 년 이상)
  • 완전 턴키 시스템(본체·보조 펌프·소프트웨어·매뉴얼·예비 부품 포함) 제공 가능
  • RF/ICP 플라즈마 발생 및 자동 매칭 시스템(13.56 MHz, ≥300 W; 13.56–2 MHz, ≥3 000 W) 구현 능력
  • 극저온·고온 온도 제어(‑150 °C ~ +400 °C, 10 kW 이상 냉각 용량) 및 4/6/8 인치 웨이퍼 클램프 제공
  • 가스 공급·배관 가열 키트(7 채널 이상, 저증기압 위험 가스 대응)
  • 인터페로메트리 엔드포인트 검출 시스템(레이저 타입, 파장 ≥1, 스팟 사이즈 < 50 µm)
  • 소프트웨어 자동화(프로그램 가능한 컨트롤러, PC/터치패널 기반)
  • 품질·보증 관리(ISO 9001 등 인증 보유, 12 개월 보증·90 일 내 유지보수 가능)
  • 국제 물류·인코텀즈 2020에 맞는 CIP(Cost, Insurance, Freight) 조건주요 국제공항 도착 가능

3. 핵심 기술/물품 요구사항

(1) 본 시스템 주요 사양

| 구분 | 요구사항 |
|------|----------|
| 치수 | Footprint ≤ 1 902 mm × 1 000 mm, Height ≤ 2 187 mm, Weight ≤ 700 kg |
| RF 플라즈마 | 13.56 MHz ≥ 300 W (bias kit) |
| ICP 플라즈마 | 13.56 ~ 2 MHz ≥ 3 000 W (자동 매칭 unit) |
| 온도 제어 | Wafer chuck ‑150 °C ~ +400 °C (cryogenic, heater, chiller ≥ 10 kW) |
| 가스 공급 | ≥ 7 채널, 배관 가열 키트 포함, 저증기압 위험 가스 대응 |
| 프로세스 성능 | Etch rate > 2 µm/min (non‑Bosch), > 10 µm/min (Bosch) <br>Selectivity > 40:1 (non‑Bosch), > 100:1 (Bosch) <br>Sidewall roughness < 10 nm (non‑Bosch) <br>Profile 90 ± 1° <br>Uniformity < ±5% <br>Reproducibility < ±0.5% <br>Bosch scallop size < 350 nm |
| 엔드포인트 검출 | Interferometric system, laser ≥ 1 λ, spot < 50 µm |
| 제어·소프트웨어 | Programmable controller (자동·수동), PC 또는 터치패널 UI |
| 보조 펌프 | Process backing dry pump ≥ 1 800 L/min, Turbo molecular pump ≥ 1 300 L/s (N₂ purge) |
| 보조 펌프 (Loadlock) | Dry pump ≥ 200 L/min, 독립식 |
| 기타 | Maintenance kit, Consumable kit(O‑rings 등), System manuals, 1 set 이상의 유지보수·부품 제공 |

(2) 분류 코드 (참고)

  • HSK No. 18486.20.84102321118001
  • Korean Government Commodity Classification Code SYS1 (정부물품분류코드)

4. 주의사항

  • 납품 기한: L/C 발행일로부터 300 일 이내에 CIP 조건으로 주요 국제공항 도착만 인정 (Incoterms 2020).
  • 보증: 최종 인수일로부터 12 개월 또는 선적일로부터 90 일 중 빠른 시점 중 먼저 적용되는 기간.
  • 결제 조건: 선적 시 90 %, 최종 인수 시 **10 %**를 L/C로 결제.
  • 규격 준수: 위 치수·성능·구성 요구사항을 모두 충족해야 하며, 초과·부족 시 별도 설계·검증 필요.
  • 소프트웨어·매뉴얼: 전체 시스템 운영을 위한 전용 소프트웨어시스템 매뉴얼을 반드시 포함 제공.
  • 예비 부품·키트: Maintenance kit·Consumable kit은 1 set 이상을 별도 계약·공급해야 함.
  • 품질·안전 인증: ISO 9001, CE, 혹은 국내 인증(예: K‑CQC) 등 품질·안전 인증 보유 시 가산점.
  • 국제 물류: CIP 조건이므로 운송·보험 비용을 구매자 부담이며, 도착지 공항이 제한될 수 있음.

위 사항을 모두 충족하는 제안서(제안서·가격·납기·보증·결제 조건 포함)를 제출해 주시기 바랍니다.

생성일: 2026년 2월 19일모델: solar-pro3

주의사항

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공고 개요

입찰 공고의 기본 정보

기본 정보

입찰공고명
울산과학기술원 양자 실리콘 식각 장치 [Quantum Silicon Etcher]
입찰공고번호
R25BK01197504-000
공고구분
재공고
등록유형
조달청 또는 나라장터 자체 공고건
재공고여부
국제입찰여부

기관 정보

공고기관
울산과학기술원
수요기관
울산과학기술원
담당자
김찬우
연락처
052-217-1267
이메일
kimcw@unist.ac.kr

입찰 방식

입찰방식
직찰
계약체결방법
일반경쟁
낙찰방법
규격적합자중 최저가
예정가격결정방법
비예가

일정 정보

등록일시
2025. 12. 02. 오후 05:40
공고일시
2025. 12. 02. 오후 05:40

입찰 일정 및 절차

입찰 진행 일정과 관련 절차 안내

진행 상태

개찰 결과 대기
공고
입찰시작
입찰마감
개찰
개찰일시
2025. 12. 08. 오후 06:00

공동수급 및 보증 관련 일정

입찰보증서 접수마감일시
2025. 12. 08. 오후 06:00
입찰보증금 납부여부
불허

재입찰 및 기타 일정

재입찰 개찰일시
2025. 12. 08. 오후 06:00
재입찰 허용여부
아니오
지사투찰 허용여부
-
개찰장소
국가종합전자조달시스템(나라장터)

담당자 정보

담당자명
김찬우
연락처
052-217-1267
이메일
kimcw@unist.ac.kr

외자 정보

국제입찰 여부
물품순번
1
세부품명번호
2321118001
세부품명
웨이퍼식각기
물품수량
1 EA
물품단가
638,362원
납품일수
300일
물품분류 제한여부

구매대상 물품목록

[1^2321118001^웨이퍼식각기]

국제입찰 안내

본 입찰은 국제입찰로 진행됩니다. 관련 규정 및 절차를 반드시 확인하시기 바랍니다.

참가 제한 및 기타 정보

입찰 참가 제한사항 및 추가 정보

참가 제한 사항

입찰참가 제한여부
아니오
업종 제한여부
-
지명경쟁 여부
아니오
실적경쟁 여부
아니오
PQ심사 여부
아니오

입찰 방식 및 식별정보

내역입찰 여부
아니오
발주계획 통합번호
R25DD20437855
사전규격 등록번호
R25BD00138357
통합공고번호
R25BM00514292
참조번호
1100002721

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상태 정보

개찰완료
입찰 진행 상태
등록구분
조달청 또는 나라장터 자체 공고건
공고종류
재공고
재공고여부
국제입찰여부
내역입찰여부
-
입찰참가제한여부
아니오

입찰 참가 정보

입찰보증서접수마감
2025-12-08 18:00:00
입찰보증금 납부 여부
불필요
공동수급방식
()공동수급불허

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