울산과학기술원 양자 절연막 식각 장치 [Quantum dielectric Etcher]

1. 사업 개요

울산과학기술원(UNIST)은 양자·광자 디바이스 제작에 필수적인 **고성능 ICP 플라즈마 기반 양자 절연막 식각 장치(Quantum dielectric Etcher)**를 도입하고자 합니다. 본 사업은 SiN·SiO₂ 얇은 막의 정밀·균일 에칭을 지원하는 ALE(Atomic Layer Etching) 기능을 갖춘 독립형 장비를 300 mm 이하(100, 150, 200 mm) 웨이퍼용으로 구매하는 것이며, 연구·학술용 고정밀 공정 설비 확보를 목표로 합니다.

2. 주요 자격요건

• ICP‑dry Etcher 설계·제조 실적이 있는 국내·외 기업 (양자·광자·MEMS 분야 적용 경험 필수)
• **시스템 전체(프로세스 모듈, 로드락, 플라즈마·진공·가스·제어·소프트웨어 포함)**를 한 번에 공급 가능한 업체
• 보증기간 최소 12개월 이상 제공 가능 업체
• 설치·시운전·현장 교육을 무상으로 수행할 수 있는 자격을 갖춘 엔지니어 파견 가능 업체
• CIP(Incoterms 2020) 조건으로 300일 이내 납품 가능 업체
• 전원·가스·수·전기 연결 및 유틸리티 연결을 포함한 전체 설비 설치·운용 지원 가능 업체

3. 핵심 기술/물품 요구사항

3‑1. 시스템 구성 (SYS1)

| 구분 | 주요 사양 |
|------|-----------|
| Process Module | 알루미늄 챔버 ≥ 1 ea, RF‑shield 뷰포트, EPD 포트, EMO 버튼, 압축공기·냉각수·가스 라인 |
| Loadlock Module | 100/150/200 mm 웨이퍼 전송 가능, 격리밸브, 웨이퍼 센서, 전송 로봇 |
| Plasma Generation | RF bias power ≥ 300 W, 13.56 MHz, ICP power ≥ 3 kW, 2 MHz, ALE‑function kit, ALE control ≤ 10 ms |
| Substrate Electrode Kit | He‑clamp, 전기·열 히터, Quartz clamp(200 mm notch, 150 mm flat, 100 mm flat), Carrier platen, 히터 온도 ≤ 400 °C |
| Gas Supply | 최대 8 라인 Mass Flow Controller, 가스 라인 히터·우회 장치(위험가스) |
| Vacuum System | CM gauge, High‑vacuum gauge, Turbo molecular pump N₂ ≥ 1 360 L/s, Adaptive pressure controller, Chamber·pump heating (≤ 60 °C) |
| Auxiliary | Backing dry pump (≥ 110 m³/h, 60 Hz), Roughing pump (≥ 14 m³/h), 10 kW 급 냉각 Chiller(–20 ~ 90 °C), Laser interferometer EPD(670 nm) |
| Software | GUI 기반 제어 시스템, 레시피·플라즈마 strike assist 로그 포함 |

3‑2. 공정 성능

• SiO₂ (< 200 mm 웨이퍼)
  • Etch rate > 200 nm/min
  • Selectivity > 1.5:1 (PR)
  • Profile 88 ± 2°, Uniformity < ±5 % (within wafer), < ±3 % (wafer‑to‑wafer)
• SiNₓ (< 200 mm 웨이퍼)
  • Etch rate > 200 nm/min
  • Selectivity > 1:1 (PR)
  • Profile 90 ± 3°, Uniformity < ±5 % (within wafer), < ±3 % (wafer‑to‑wafer)

3‑3. 기타 요구사항

• 독립형 운용 (반도체·MEMS 라인 연계 불필요) → 입자 발생 최소화
• 안전·비상정지 기능(EMO 버튼, RF shield 등) 필수
• 매뉴얼 1 set 이상 제공

4. 주의사항

1. 납품 기간 – 신용장 발행일로부터 300일 이내, CIP(Incoterms 2020) 조건.
2. 보증 – 최종 Acceptance Certificate 발급 후 12개월 이상 보증 제공 필수.
3. 설치·시운전·현장 교육 – 공급자가 무상으로 수행 가능한 엔지니어 파견 필요.
4. 유틸리티 연결 – 전원, 가스, 냉각수, 압축공기 등 현장 연결 작업 포함.
5. 성능 검증 – 제시된 Etch rate, Selectivity, Profile, Uniformity 등 모든 수치를 실험실 테스트로 입증해야 함.
6. 품목 번호 – 18486.20.84102321118001(양자 절연막 식각 장치) 및 해당 HSK/정부물품분류코드 준수.
7. 보안·품질 관리 – 양자 디바이스 특성상 입자·오염 최소화와 고품질 공정 재현성 확보가 심사 핵심.

위 요건을 모두 충족하는 업체는 입찰 참가 시 높은 경쟁력을 확보할 수 있습니다.