울산과학기술원 유도결합플라즈마 화학기상증착기 [Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition]

1. 사업 개요

울산과학기술원(UT‑IST)은 차세대 양자·광학·스핀‑큐비트 등 첨단 디바이스 연구에 필수적인 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP‑CVD) 장비를 도입하고자 합니다. 200 mm(8‑inch) 웨이퍼를 이용해 SiO₂·Si₃N₄ 등 저‑손실·저‑스트레스·고‑균일성의 박막 증착을 수행할 수 있는 시스템을 구매하며, 저온(≤150 °C)·고온(≤400 °C) 공정과 온‑칩/오프‑칩 통합이 가능한 유연성을 확보합니다.

2. 주요 자격요건

• ICP‑CVD 시스템 전체 (1세트) 납품 – 주요 구성품을 모두 포함한 완전 패키지.
• 200 mm 웨이퍼 대응 – 로드‑락·웨이퍼 핸들링 포함.
• 플라즈마 전원: ICP RF ≥ 3 kW, Bias RF ≥ 300 W, 자동 매칭 유닛 필수.
• 가스 공급: 최소 8라인, 200 sccm 이상 흐름, SiH₄, N₂, O₂, Ar, SF₆ 등 호환 가스 포함 (위험가스 취급 가능).
• 진공 시스템: 터보 펌프 + 가열 기능을 갖춘 드라이 펌프 1세트.
• 기판 전극·온도 제어: 20 °C ~ 400 °C (냉·열 전환 가능) 온도 제어 정확도 및 안정성 확보.
• 제어·소프트웨어: PC·모니터 포함, 레시피 생성·자동 제어·데이터 분석 가능한 전용 소프트웨어 1세트.
• 성능:
  • SiO₂ 증착률 ≥ 25 nm/min, Si₃N₄ ≥ 8 nm/min
  • 두께 균일도 ≤ ±3 % (200 mm 웨이퍼)
  • 런‑투‑런 반복성 ≤ ±3 %
  • 굴절률 SiO₂ 1.44‑1.50, Si₃N₄ 1.95‑2.05
  • 필름 스트레스 ≤ ±150 MPa
  • Si₃N₄ 습식 에칭률 ≤ 30 nm/min (BHF 10:1, 20 °C)
  • 저온 증착 시 수소 함량 ≤ 5 % (SIMS 기준)
• ** ancillaries**: 케이블, 설치 부품, 매뉴얼(USB), 포장·크레이트 포함.

3. 핵심 기술/물품 요구사항

• ICP‑CVD 메인 챔버 (1set) – 200 mm 웨이퍼 처리 가능, 온도 범위 20 °C ~ 400 °C.
• 플라즈마 전원 – ≥ 3 kW ICP RF, ≥ 300 W Bias RF, 자동 매칭 유닛 내장.
• 가스 공급 라인 – 8라인 이상, 위험가스 포함, 최대 200 sccm 흐름.
• 진공 시스템 – 터보 펌프 + 가열 드라이 펌프, 고진공 유지 능력.
• 기판 전극·온도 제어 – 20 °C ~ 400 °C, 냉각·가열 모드 전환, 고정밀 온도 제어.
• 소프트웨어 – 레시피 작성, 자동 공정 제어, 실시간 데이터 분석 및 저장 기능.
• 프로세스 성능 – 증착률·균일도·반복성·필름 물성(굴절률·스트레스·에칭률·수소 함량) 모두 명시된 기준 충족.
• 패키지 포함 – 매뉴얼(USB), 포장·크레이트, 설치 부품, 기본 사용자 교육.

4. 주의사항

• 납품 기한: L/C 개설 후 300일 이내(Incoterms CIP) – 일정 관리가 핵심.
• 보증 기간: 납품 후 12개월, 1년 동안 무상 보증 제공.
• 시공·훈련: 현장 설치·시운전 및 기본 사용자 교육 포함, 교육 일정과 현장 지원 계획 필요.
• 결제 조건: 90 % 선결제(출하 시), 10 % 최종 결제(L/C 수령 시). 현금 흐름 및 L/C 개설 절차를 사전에 확인.
• 위험가스 관리: 가스 공급 라인에 포함된 SiH₄ 등 위험가스 취급을 위한 안전 인증·안전 설비(예: 가스 누출 감지, 방호 장비) 필수.
• 인증·시험: 모든 사양(특히 저‑수소 함량·필름 스트레스·균일도)을 시험·시뮬레이션을 통해 검증 가능한 자료 제공 요구.
• 기술 지원: 소프트웨어 업데이트·교육·문제 해결 등 장기 지원 방안을 계약서에 명시해야 함.
• 패키징·운송: 200 mm 웨이퍼 전용 로드‑락 및 크레이트 손상 방지를 위한 운송 조건(진동·충격 방지) 확인.

위 항목들을 모두 충족하는 제안서를 제출하고, L/C·결제 일정·위험가스 안전 관리 계획을 상세히 제시하면 입찰 성공 가능성이 높아집니다.